中国光刻机技术 被蔡司CEO赤裸打枪

美国等各国政府制定严格规定阻止德国光学大厂蔡司（Zeiss）和荷兰半导体设备商艾斯摩尔（ASML）等公司向中国出口极紫外光曝光机（EUV）设备，这将阻碍中国未来的发展。

DigiTimes报道指出，随著台积电加速推进2奈米制程的生产，蔡司执行长弗兰克·罗蒙德（Frank Rohmund）认为，中国的制造能力将仅限于7奈米制程；中国在EUV技术的差距阻碍半导体产业的追赶步伐。

在美国出口管制措施的限制下，中国陷入先进芯片制造业务的困境，管制措施使得中国无法从荷兰制造商ASML获得尖端的极紫外光曝光设备。这一巨大的障碍迫使中国最大的半导体代工厂转而使用深紫外光（DUV）曝光设备进行多重曝光技术。罗蒙德表示，从商业角度来看，这无助于推动中国先进发展。

罗蒙德指出，即使没有EUV技术，中国也可以利用DUV技术，透过多重曝光制程制造出5奈米级芯片，但其显而易见的缺点包括制程复杂、良率低、成本高，多重曝光方法长期来看不可行。此外，罗蒙德表示，只有政府出手提供大量补贴支持这些项目，这种方法才切实可行。

外媒wccftech则指出，早前有报道称，中国将于2025年开始试生产自主研发的极紫外光曝光机，但此后并未有任何后续消息，这些说法最终不了了之。除非中国找到绕过美国出口管制的方法，例如走私或其他非法手段，否则随著中国无法取得极紫外光曝光机，其竞争力差距将逐渐扩大。

另外，据《路透》与相关调查指出，位于深圳一座由中央科技委员会管理的保密设施内，首台全国产化的极紫外光曝光机原型机已成功启动。