雷大雨小幌虚招 中国芯片困窘途？
中国全力推动半导体自给自足，近期“中国极紫外光机（EUV）自主研发计划”再次成为市场热议焦点。 这起被堪称中国版曼哈顿计划，专家指出这类雄心勃勃的投资与宣传背后，往往隐含极高的技术落差、资金风险甚至诈骗危机。 这不仅是技术竞争问题，也暴露出中国半导体投资环境中的一连串吸金与投资泡沫问题。
美国科技政策与出口管制专家表示，外界对中国是否推动类似“曼哈顿计划”级别EUV曝光机研发存在过高期待。 实际上，即便在实验室阶段取得一些进展，距离可进入量产阶段的稳定设备，仍存在几个世代技术与稳定度差距，意味着这项高额投资未必能达到商业化与经济回报。
EUV曝光机是现代最先进制程芯片制造不可或缺的核心设备，全球目前仅像ASML企业能量产此类设备。 这类设备不仅成本高，更需要高度专业技术配合，因此中国若欲自行研发，短期内面临重重阻碍。 专家指出，中国在政策诱导下投入巨资于先进设备与技术，但成果与成本效益仍受质疑。
“汉芯1号” 中国首宗芯片造假案
近年中国为提高半导体自主率，在地方政府与产业基金的推动下，吸引大量资金投入芯片制造项目。 但随着时间推移，许多项目陷入停滞甚至“吸金”危机，成为资本泡沫的一部分。
早在2000年代初，中国就出现轰动市场的“假芯事件”。 当时“海归派”陈进从美国购买摩托罗拉芯片，将标志物磨除后印上“汉芯1号”，打着中国第一个自主设计、生产及封测的系统单芯片爱国旗号，让上海市人民政府乐得为其发表宣传。
陈进先后向国家各部门成功申请40多个研究项目，累计骗取科研经费超过人民币1亿元，甚至还用假的汉芯芯片申请了12项国家专利，骗了4年多各式补助，才被网上匿名举报造假。
另外武汉弘芯（HSMC）也是很早被外界广泛提及的案例之一。 这家公司在2017年成立时，声称将投资超过人民币1280亿元打造先进芯片制造能力，目标包括建立14纳米和7纳米制程产线。
然而，项目未能如预期推进，最终于2020年遭遇资金链断裂，并于2021年遣散所有员工，实际无芯片量产，项目成为中国半导体投资泡沫的经典案例之一。
“武汉弘芯案”引人关注的是，包括政府部门在内的大量资金投入，却未能产生实质产出，外界一度批评此类项目更像是“吸金骗局”。 报道指出，弘芯等项目一开始透过地方政府背景与高额投资承诺吸引投资者与人才，比如挖角台湾及国际资深工程师，甚至高调在当地举行庆典，塑造出一种强烈发展势头。
中国假芯事件不断发生。 （示意图，路透资料照）
外行人成立芯片厂多为吸金诈骗
这种外界所见的“盛大排场”背后，实际技术基础与人才储备不足，导致资金迅速消耗、项目停摆。 中国半导体产业中，类似的现象并非罕见，曾出现多个因缺乏技术基础或过度依赖资金补助而失败的项目，例如规模达人民币598亿元的济南泉芯项目也被报道陷入停滞与欠薪危机，引发外界对盘者诚信与能力的质疑。
据媒体分析，这类项目背后常见问题包括使用吸引人才与投资的浮夸头衔、利用政府与市场热情吸金，以及投资与实际能力不匹配。
此外，财经媒体分析指出，这种由“外行人”建立的芯片项目，往往夸大技术宣称和产出数据，实际上与全球先进制程存在巨大差距，使得投资者与地方政府成为最大的受害者：巨额投入可能化为泡影。
韩国检方起诉包括三星电子前高管，与研发人员在内多名人士，指控他们非法泄露技术给中国长鑫存储。 （美联社资料照）
偷技术是中国惯用技俩
《南华早报》报道表示，为了遏止这类资金浪潮中的不当行为，中国证券监管机构曾对个别半导体相关企业的财报提出异议，然而，业界分析指出，尽管监管加强，但诈骗性投资风险仍然存在，尤其是在政府补贴庞大、地方竞争激烈的情况下。
与以上投资诈骗风险并行的是另一类挑战：技术外泄与竞争风险。 韩国检方近日起诉包括三星电子前高阶主管，与研发人员在内多名人士，指控他们将三星开发的10纳米级动态随机存取存储器（DRAM）核心制程技术，非法泄露给中国存储器企业长鑫存储。
这类案件并非首起。 早前亦有报道指出，韩国SK海力士曾有中国籍员工，因涉嫌向华为等中国企业泄漏内部技术文件而被起诉。 这类事件突显一个现象：在中国与外国企业互动频繁、资金与人力流动扩大之下，产业竞争与投资热潮不仅可能带来经济机会，也伴随着知识产权风险与资金安全问题。
中国半导体投资雄心勃勃。 （路透数据照）
综合外媒观察，中国半导体投资虽雄心勃勃，但从EUV光刻机原型到过去弘芯、泉芯等案例显示，高额投入与技术基础不足之间存在显著落差。 《南华早报》指出，中国部分半导体项目因技术基础不足与管理经验缺失，导致资金快速消耗、项目停摆，甚至引发投资泡沫与吸金风险。
随着全球半导体竞争加剧，《路透》就指出，中国在高端制程与核心设备上的技术落差与投资风险，仍是国际关注焦点。 专家认为，唯有真正掌握技术自主、建立完善的监管与风险控管机制，才能在国际市场中保持竞争力。