总投资2000亿 清华紫光两个芯片项目陷入停滞

图为紫光集团。（美联社图片）

清华紫光集团债券违约后，因资金不足、缺乏人才和技术资源，其所牵头的两项备受瞩目的芯片项目陷入停滞。这两个项目总投资额约达2,000亿元人民币，分别是中国成都的大型3D NAND工厂，和重庆的DRAM工厂。

《日经亚洲新闻》11月30日报道，中国科技公司清华紫光牵头的两个备受瞩目的芯片项目遭到严重推迟。

清华紫光是中共实现芯片自给自足的“中国制造2025”计划的参与者之一。

两年前，随着美中科技领域紧张关系升温，清华紫光董事长赵伟国称，该公司将在未来10年斥资1,000亿美元，并很快就宣布了两个大型芯片项目。

第一个项目是计划在中国成都建造大型3D NAND闪存工厂，其目的是在成都重建长江存储的运营模式。最初的产能设定为每月10万片，之后将扩大到30万片，约占目前全球产量的20%。

第二个项目是重庆的DRAM存储芯片工厂。这两个项目总投资高达2,000亿元人民币（304.3亿美元）。

DRAM是内存芯片市场的关键领域，目前由三星（Samsung）、SK海力士（SK Hynix）和美光（Micron）控制。

清华大学邀请日本尔必达记忆体（Elpida Memory）前首席执行长坂本幸男（Yukio Sakamoto）共同领导DRAM开发，重庆工厂计划2020年开工建设。尔必达曾是全球最大的记忆体芯片制造商之一。然而，据知情人士透露，该芯片工厂的建设一直处于停滞状态，因此该芯片工厂不太可能按计划在2022年开始大规模生产。

一位消息人士表示，“DRAM项目目前正面临延迟，因为没有足够的人才和可靠的技术来源来快速推进。”

另据两名熟悉该项目的人士透露，成都NAND项目的建设已在早期阶段陷入停滞，没有迹象表明何时会恢复，也没有接到芯片生产设备的订单。

一位消息人士表示，“清华紫光本身没有足够的资金，它很像一家控股公司和运营商。”而中国的芯片项目大多依靠地方政府和中央政府资助。

近期，由于中国许多芯片项目烂尾，中共发改委称，如果地方政府监管的项目失败，地方将承担全部责任。

周六（11月28日），中共工业和信息化部副部长王志军在一个论坛上表示，芯片制造行业出现了大量“盲目投资” 、诈骗项目和烂尾工程，这与此前在钢铁和水泥领域出现的过度投资类似。

报道称，目前，中共地方政府已经不愿救助陷入困境的芯片企业。