美光核心技术团队将撤离中国 还要“发”绿卡
1月25日，网媒集微网消息，美光科技正在解散150人左右规模的上海研发中心，并挑选了40多位核心研发人员提供移民技术美国的资格。
美光此次并非解散整个上海研发中心，而是仅仅解散了DRAM设计部门，该部门总人数超过100人。
某半导体行业高管评论称，美光解散DRAM设计团队很有可能是出于防止技术外泄的考虑，虽然目前国内的DRAM企业数量相对较少，但未来几年内或有可能涌现出新的几家DRAM制造商，而且现有的DRAM企业也正求贤若渴，美光此举或是想将产品的设计和研发收拢至中国大陆以外地区。
据美国Business Journal援引消息人士报道，全球最大的半导体公司之一的美光科技正考虑在美国德州中部投资，推进一项1500亿美元（约合人民币9539.25亿元，近万亿）的计划，扩大芯片制造能力。
据《华尔街日报》报道，美光去年10月已宣布未来十年投资超过1500亿美元，解决全球芯片短缺问题，并促进美国国内半导体生产。美光首席执行官Sanjay Mehrotra表示，公司将扩大现有的芯片制造设施，利用这笔资金建造新工厂。
国金证券预测：
1、未来10年全球 DRAM 厂的资本开支将有13%的复合增长率；
2、因为半导体设备越来越贵, 每10亿美元 DRAM 厂的资本开支所能换来的 DRAM 晶圆产能将逐年减少8-9%;
3、未来10年全球 DRAM 晶圆厂年产能将以6－7%的复合增长率增加；
4、DDR5 DRAM 逐季，逐年比重提升，每颗 DDR5芯片将比 DDR4 DRAM 的制造多消耗30-50%的产能, 意思就是未来10年，全球DRAM 晶圆厂需要投入比过去10年更多的资本开支，才能维持6-7%的产能复合增长率；
5、 未来每年每片晶圆仍然像过去一样有10%的位元产能增长, 但因为加了 EUV 光刻机，未来10年资本开支的复合增长率将高于过去10年的复合增长率近2个点；
6、未来10年全球 DRAM 行业应该是长期处于供给不足的状态，估计短期供过于求的下行周期将有2－3次，少于过去十年于2010-2020年 的4次。
图：逻辑及内存芯片制造所需 EUV 光刻机数量测算
DRAM大陆竞争格局
目前中国主要的 DRAM 制造厂商为福建晋华、合肥长鑫、紫光南京，其中紫光南京的量产环节仍主要在台湾力晶进行，福建晋华由于受到美国实体清单制裁，关键技术受到限制，致使 DRAM 研发停滞，因此合肥长鑫为短期内中国 DRAM 产业国产替代唯一的希望。
长鑫产品定位于大宗标准型 DRAM 产品，目前已量产19nm 的 DDR4/LPDDR4/LPDDR4X 等，良率在75-85%，未来2-3年内将推进低功耗高速率 LPDDR5 DRAM 产品开发。截至2020年底，长鑫19nm 产能为4万片/月，17nm 预计21年底量产，产能将提升至8.5万片/月，预计22年产能可达满至12万片/月。长鑫二期12寸厂房也已奠基，将用于1y nm 以下工艺节点（14-16nm 工艺），远期共规划三期建设三座12寸 DRAM 晶圆厂，预计三期满产后产能可达36万片/月。兆易创新目前推出的 DDR4使用长鑫19nm 产线，未来17nm DDR3也将由长鑫代工，根据产业链调研，预计长鑫将给予兆易25%的产能保障。